金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“半导体结构的远程掺杂、相关器件、相关系统和相关方法”的专利，公开号CN120475729A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本公开的技术总体涉及半导体器件领域。更具体地，本发明涉及场效应晶体管(FET)以及用于制造FET的系统和方法。FET包括：衬底；包括沟道材料的至少一个沟道层；与沟道层电接触的源电极和漏电极；与栅极绝缘层接触的至少一个栅极电极；至少一个远程掺杂剂层，其与栅极电极或栅极绝缘层的至少一部分电接触；其中，远程掺杂剂层包括至少一种含硼材料；并且其中，远程掺杂剂层配置用于远程掺杂沟道层的沟道材料。

本文源自：金融界

作者：情报员