金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种横向注入载流子的LED外延结构”的专利，公开号CN120500174A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种横向注入载流子的LED外延结构，包括：衬底；缓冲层，设于衬底上；N型半导体层，设于缓冲层上；N型半导体层为阶梯状结构，由至少两个带台阶面和台阶侧壁的台阶依次排列而成；有源层，设于N型半导体层的台阶面上并继承了阶梯状形貌；有源层从下至上依次为第一势垒层、量子阱层和第二势垒层；P型半导体层，设于第二势垒层上并填平阶梯状结构；第一势垒层的能带＞N型半导体层的能带＞量子阱层的能带，第二势垒层的能带＞P型半导体层的能带＞量子阱层的能带；量子阱层的侧壁连接N型半导体层和/或P型半导体层，N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴通过量子阱层的侧壁横向注入到量子阱层复合，提高LED器件的发光效率。

本文源自：金融界

作者：情报员