金融界 2025 年 8 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“利用侧壁清洁的离子束蚀刻”的专利，公开号 CN120500263A，申请日期为 2020 年 02 月。

专利摘要显示，图案化的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠件通过进行主蚀刻蚀穿设置在衬底上的多个 MRAM 层而形成，其中该主蚀刻包含使用离子束蚀刻(IBE)。在主蚀刻之后，将间隙填充介电材料沉积至图案化的 MRAM 堆叠件之间的空间中，并且选择性蚀刻间隙填充介电材料或以其他方式形成间隙填充介电材料至下层深度上方的蚀刻深度。在形成间隙填充介电材料之后，通过进行 IBE 修整蚀刻移除沉积在图案化的 MRAM 堆叠件的侧壁上的间隙填充介电材料和任何导电材料中的至少一些。

本文源自：金融界

作者：情报员