三星在今年的SAFE 2025活动上展示了第三代2nm工艺，称为“SF2P+”，打算两年内推出。三星预计业界对2nm制程节点的需求会延续很长时间，为此不惜将1.4nm工艺的量产时间延后至2029年，通过优化2nm工艺的性能和能耗表现，提高良品率，使其更适合业界使用。

据Wccftech报道，Exynos 2600将是三星首款采用了SF2（2nm）工艺的SoC，三星希望可以尽可能减少亏损，提高良品率，以便在今年晚些时候开始大规模生产，向业界证明自己的实力。更了更好地实现目标，三星希望引入更多High-NA EUV光刻机，以便日后添加到生产中。虽然这些生产设备并不便宜，但是会带给三星一些必要的优势。

三星于今年3月在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，主要用于技术研发。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

三星原计划是在1.4nm工艺引入High-NA EUV光刻技术，如果提前至2nm工艺中加入，或许能帮助三星实现更高的良品率，并为未来的1.4nm工艺提前做好准备。不过目前ASML每年只能生产五到六台High-NA EUV光刻机，三星也不能随心所欲地订购。