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案例：华东某晶圆制造厂高浓度有机废水处理项目

项目背景

该厂主要生产8英寸半导体晶圆，日均产生废水150吨，其中有机废水占比40%。废水含有光刻胶、显影液残留物及CMP研磨废液等复杂成分，COD浓度高达8000-12000mg/L，且含有微量重金属。

废水主要成分及来源

光刻工艺废水

：含丙烯酸酯类光刻胶、PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）溶剂

显影废水

：四甲基氢氧化铵（TMAH）含量约500mg/L

CMP废水

：硅颗粒（粒径0.1-1μm）及有机分散剂

清洗废水

：异丙醇（IPA）、丙酮等有机溶剂

处理工艺流程

采用"物化预处理+生化强化+深度处理"组合工艺：

调节池

：水质水量均衡，pH调节至7-

高级氧化单元

：采用Fenton试剂（H2O2/Fe2+）氧化分解难降解有机物，COD去除率45%

混凝沉淀

：投加PAC（200mg/L）+PAM（0.5mg/L）去除胶体物质

UASB厌氧反应器

：HRT=24h，温度35±2℃，COD负荷6kg/(m³·d)

MBR膜生物反应器

：PVDF中空纤维膜（孔径0.1μm），污泥浓度维持8-10g/L

活性炭吸附

：作为保障单元，处理出水COD<50mg/L

最终效果

项目运行稳定后：

COD总去除率≥99.2%，出水COD稳定在45mg/L以下

TMAH完全降解，检测浓度<0.1mg/L

重金属含量均低于《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）限值

30%处理出水回用于厂区冷却塔补水