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SK hynix Inc.是世界领先的半导体存储器制造商。公司在DRAM和NAND闪存领域占据全球领先地位，并通过战略性扩张，正成功地从专业的存储器公司转型为涵盖存储器、系统半导体和先进封装等领域的综合半导体解决方案提供商。公司以技术研发为驱动，积极布局人工智能（AI）、大数据和云计算等高增长市场，致（力于成为未来数字生态的核心基石。
里程碑 (1983-2025)
1983-02 ：现代电子工业有限公司（HEI）成立。
1984年 ：生产16kB SRAM。
1985-10 ：量产256kB DRAM。
1988-01 ：开发1MB DRAM。
1989-09 ：开发4MB DRAM。
1991-03 ：开发4MB DRAM。
1992-11 ：开发16MB DRAM。
1995-10 ：全球首个开发256MB DRAM。
1996-12 ：公司上市。
1997-05 ：全球首个开发1GB SRAM。
1998-09 ：开发64MB DRAM。
1999-03 ：出售封测公司金朋科技（CHIPPAC）。
1999-10 ：合并LG半导体有限公司。
2001年 ：开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
2001-08 ：Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. 更名为 Hynix Semiconductor Inc.。
2002-08 ：在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM。
2002-11 ：出售TFT-LCD业务子公司HYDIS给京东方。
2003-08 ：宣布发表行业第一个1GB DDR2。
2004-10 ：将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。
2007-11 ：业界最先开发1GB GDDR5 DRAM。
2012-02 ：韩国SK集团收购海力士21.05%的股份入主。
2012-03-23 ：更名为SK hynix Inc.。
2013-08 ：收购台湾银灿科技（Innostor）的eMMC控制器部门。
2014-05 ：收购美国闪存阵列供应商Violin Memory的PCle card部门。
2014-06 ：收购白俄罗斯Softeq Development FLLC的固件业务。
2016年 ：量产18nm DRAM。
2017年 ：开始量产72层3D NAND闪存。
2018年 ：量产1Ynm DRAM；宣布投资韩国龙仁半导体集群。
2019年 ：量产1Znm DRAM；开始量产128层4D NAND闪存。
2020-10 ：以90亿美元收购英特尔NAND闪存及固态硬盘业务。
2021年 ：量产1αnm DRAM；开始量产176层4D NAND闪存。
2022年 ：开始量产HBM3高带宽内存；宣布在韩国建设M15X晶圆厂和先进封装集群。
2023年 ：量产1βnm DRAM；开始量产238层4D NAND闪存；宣布投资美国印第安纳州先进封装基地。
2024年 ：量产HBM3E高带宽内存；量产1γnm DRAM；完成收购英特尔NAND业务后的整合，成立独立运营的闪存子公司“Solidigm”。
2025年 ：开始量产HBM4技术验证样品；宣布下一代300层以上NAND技术路线图。
[收购] 1993年 ：收购美国HDD生产公司Maxtor公司。
[出售] 1999年3月 ：出售封测公司金朋科技CHIPPAC。
[收购] 1999年10月 ：收购LG半导体有限公司。
[出售] 2002年11月 ：出售TFT-LCD业务子公司HYDIS给京东方。
[出售] 2004年10月 ：将系统IC业务出售给花旗集团，专注于存储器。
[收购] 2012年6月 ：收购意大利Ideaflash S.r.l.，并于欧洲建立闪存研发中心；收购Link_A_Media Devices，推出自有品牌固态硬盘主控。
[收购] 2014年5-6月 ：收购美国Violin Memory的PCle card部门及白俄罗斯Softeq的固件业务，加强NAND竞争力。
[收购] 2020年10月 ：战略性收购英特尔NAND闪存及固态硬盘业务，极大增强公司在NAND市场的规模与技术组合。后续成立独立子公司 Solidigm 进行运营。
[合资/剥离] 2021年 ：将部分8英寸晶圆代工业务剥离，与Key Foundry等公司进行战略合作，使自身更专注于12英寸先进制程。
[投资/合作] 2022-2024年 ：与台积电等公司加强合作，共同开发HBM3/HBM3E与先进逻辑芯片的封装技术（如CoWoS）。
[投资] 2023年 ：投资美国AI芯片初创公司 Sapeon ，布局AI算力生态。
[收购] 2024年 ：收购韩国AI芯片解决方案公司 Lynx Lab ，强化系统半导体（如AI加速器）设计能力。
自2014年业务重组后，SK海力士持续深化多元化战略。目前，公司业务核心已从DRAM、NAND、CIS三大事业部，演进为以 AI存储器 为增长引擎， 传统存储器 为稳定基础，并积极拓展 系统半导体 和 定制化解决方案 的多元格局。
存储器业务 ：
DRAM ：产品线涵盖DDR5/LPDDR5、LPDDR5X、GDDR6/GDDR7、HBM3/HBM3E等，重点满足服务器、AI、高端PC和显卡需求。2024年，高附加值DRAM产品（如HBM）营收占比显著提升。
NAND Flash ：通过子公司 Solidigm 运营，提供包括企业级/消费级SSD、eMMC、UFS等在内的全系列解决方案。重点发展高层数3D NAND技术。
系统半导体与代工业务 ：CMOS图像传感器（CIS）持续为智能手机、汽车提供解决方案。同时，公司大力发展基于8英寸和12英寸的晶圆代工服务，专注于DDI、PMIC以及MCU等特色工艺。
先进封装 ：将TSV（硅通孔）等封装技术视为核心竞争力，大规模投资HBM和Chiplet（小芯片）相关的高端封装产能。
SK海力士通过持续的巨额投资和工艺微缩，维持技术领先地位。目前生产设施主要集中在韩国利川、清州和中国无锡，并正积极在韩国龙仁和美国印第安纳州建设新基地。
韩国利川集群 ：
M10 ：早期12英寸DRAM产线。现已转型为特种存储器和CIS的研发与生产线。厂房很小
打开网易新闻 查看精彩图片M14 ：12英寸晶圆厂，主要生产先进制程（1αnm, 1βnm）DRAM。
M15 ：2018年投产的12英寸晶圆厂，是先进DRAM和HBM的核心生产基地。
M15X (极速扩建线) ：2022年宣布建设，专注于AI存储器（如HBM）的产能扩张，中间层推迟扩产，预计11月份完工
韩国清州集群 ：
M8 ：8英寸晶圆厂，专注于CIS、DDI、PMIC等系统半导体产品。2022年设备完成搬迁（无锡海辰）；目前拟改造为HBM封装产线
M11/M12 ：12英寸晶圆厂，主要生产100层以上（如176层、238层）的4D NAND闪存。
中国无锡集群 ：
HC1&2 ：SK海力士海外最重要的DRAM生产基地，经过多次扩产和技术升级，目前主要生产1Znm、1αnm等先进制程的移动DRAM和服务器DRAM，月产能超过19万片，是全球DRAM供应链的关键环节。
新投资与未来规划 ：
龙仁半导体集群 ：自2018年启动，正在进行大规模分期建设，将是公司未来最先进的存储器研发和制造中心。
美国印第安纳州先进封装基地 ：2023年宣布投资建设，计划于2028年投产，主要服务于北美市场的AI存储器高端封装需求。
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