在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下，长晶科技凭借其卓越的技术实力与战略布局，成为功率半导体领域不可忽视的力量。这家自2018年诞生便聚焦功率半导体领域的企业，以技术创新为引擎，以人才战略为基石，以全产业链布局为支撑，正稳步迈向世界一流半导体品牌的行列。
技术创新是长晶科技立足市场的根本。长晶科技深知功率半导体行业技术演进的独特规律。与数字芯片追求制程微缩不同，功率半导体更注重材料、结构和工艺的创新。经过多年努力，长晶科技在功率半导体相关技术维度实现了突破性进展。在器件结构创新方面，其SGT（Shielded Gate Trench）MOSFET技术在多个维度尤为亮眼。传统的平面MOSFET存在导通电阻大、开关损耗高等缺点，而SGT结构通过在栅极周围增加屏蔽层，显著降低了这些参数。长晶科技开发的60V - 150V SGT MOSFET系列产品，性能参数与国际一线品牌相当，但价格更具竞争力，已广泛应用于电动工具、无人机等市场，打破了国外企业在该领域的技术垄断。
封装工艺是功率半导体的另一关键环节，长晶科技同样成果斐然。其开发的CSP（Chip Scale Package）MOSFET产品，封装尺寸仅为传统DFN封装的1/3，热阻降低20%以上，特别适合空间受限的便携式设备。而这项技术的突破，使公司成功打入了高端智能手机和平板电脑的供应链，为消费电子领域的发展提供了强大的技术支持。
除了MOSFET领域，在IGBT产线上长晶科技的实力同样不容小觑。其推出的大功率IGBT单管及模块产品，采用国际先进制程，具备高功率密度、低损耗、低开关应力、高可靠性等特点，性能可对标国际品牌第七代产品。此外，长晶科技针对不同行业应用系统性优化IGBT相关参数性能，在新能源汽车、光伏储能等领域展现出卓越性能，进口替代优势明显。例如，其自主研发的FST3.0 IGBT系列产品，以高开关速度、低导通损耗等卓越性能，显著提升了新能源电动汽车的能源转换效率和续航能力，同时也为新能源汽车配套的充电桩提供了稳定、高效的技术支持。
长晶科技的成功，离不开其成功的人才战略。公司成立之初就设立了国家博士后科研工作站，吸引了大量海内外半导体人才加盟。更难得的是，长晶科技建立了一套行之有效的激励机制，将研发成果与个人收益直接挂钩，极大激发了创新活力。截至2025年7月，长晶科技拥有已授权的专利233件（其中发明专利78件），集成电路布图设计专有权113件，合计知识产权数量约394件。这些技术储备为公司的产品研发和市场拓展提供了坚实支撑。
在产业布局上，长晶科技积极推进全产业链布局，从芯片设计、芯片制造、封装测试到销售等各个环节进行深度整合。2020年，长晶科技投资成立长晶浦联，组建自主封装产线；2022年，通过收购新顺微，整合5英寸及6英寸晶圆制造平台，进一步强化分立器件的生产能力。这一举措不仅保障了车规级芯片的稳定供应，更显著提升了产品的响应速度和品质把控能力，实现了从Fabless模式向IDM模式的关键转型。
凭借着在技术创新和产业布局上的出色表现，长晶科技赢得了行业的广泛认可。自2020年始，公司连续6年被中国半导体行业协会评为“中国半导体功率器件十强企业”，还获评国家级专精特新“小巨人”企业，其主导的“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研究”项目也成功入选江苏省重点研发计划。
在全球半导体产业竞争日益激烈的大背景下，长晶科技不忘初心，始终铭记“创造世界一流的半导体品牌”这一宏伟愿景。2025年8月，公司完成亿元级战略轮融资，投资方为江苏省节能环保战新产业基金、蓝天投资，这为公司的发展注入了新的动力。未来，长晶科技将继续加大在第三代半导体材料（如碳化硅SiC、氮化镓GaN）领域的研发投入，探索更高性能、更低功耗的半导体器件，稳步向全球化半导体企业的行列前端迈进，为推动行业发展贡献中国力量。
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