国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 121011511 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供基底结构；所述基底结构包括第一区域；在第一区域上形成图案化的复合铝垫层；复合铝垫层包括复合铝垫结构，复合铝垫结构包括沿第一方向依次层叠的第一阻挡层、第一铝垫层、第二阻挡层以及第二铝垫层；第一方向为基底结构的厚度方向；在第一区域中暴露出的基底结构上以及复合铝垫结构上形成保形覆盖复合铝垫结构的钝化保护层；去除第一区域上的部分钝化保护层，使得暴露出第一区域上的复合铝垫结构的全部上表面；在第一区域上的第二铝垫层上扎针测试后，去除第一区域上的复合铝垫结构的第二铝垫层，并至少保留第一区域上的复合铝垫结构的第一阻挡层、第一铝垫层。

天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3785.7171万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员