国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片”的专利，公开号CN121013370A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明实施例提供了一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括N-外延层，设于N+衬底的一侧；电流扩展层；P型基区，设于电流扩展层内；N+区，设于P型基区内；第一沟槽，设于电流扩展层的两侧侧壁；第二沟槽，设于电流扩展层内；第二沟槽的两侧侧壁与P型基区和N+区连接栅极多晶硅，设于N+区的部分上表面、与N+区的部分上表面连接的P型基区的部分上表面和与P型基区的部分上表面连接的电流扩展层的部分上表面。在反向导通时，由于沟道二极管的导通压降远低于体二极管的导通压降，所以沟道二极管比寄生的体二极管先导通，因此，通过沟道二极管可以降低器件在反向续流时的导通压降，优化体二极管存在续流损耗较大的问题。

天眼查资料显示，珠海格力电器股份有限公司，成立于1989年，位于珠海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本601573.0878万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了100家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可908个。

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作者：情报员