国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“金属的闪光增强原子层沉积和化学气相沉积”的专利，公开号CN121013917A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，低温含金属膜沉积方法包括，将试剂引入至容纳半导体衬底的处理室中并且向半导体衬底施加来自光源的光脉冲，因而导致在半导体衬底的顶表面和/或成核层上的温度快速且瞬时地升高。在金属前体输送期间、在还原剂输送期间、或在清扫期间，可照射衬底。钼、钨、或钌的闪光增强沉积可选地可包括施加光至电介质材料作为预处理和/或后处理。

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作者：情报员