国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“用于图案晶片分度抛光的处理控制方法”的专利,公开号CN121013779A,申请日期为2024年3月。

专利摘要显示,在一个实施例中,一种在化学机械抛光(CMP)系统中处理基板的方法包括以下步骤:确定基板相对于第一承载头的定向。方法进一步包括以下步骤:开始对与抛光垫接合的基板的表面的抛光处理。方法进一步包括以下步骤:在抛光处理期间,使用耦接到抛光垫的至少一个终点传感器来重复地扫描基板的表面的第一部分,以生成表面的第一部分的性质的定向相关扫描数据。方法进一步包括以下步骤:将定向相关扫描数据与定向相关扫描数据的库进行比较,以确定何时已到达抛光处理的终点。

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作者:情报员