国家知识产权局信息显示,清华大学和北京电子控股有限责任公司取得一项名为“基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN119730492B,申请日期为2024年12月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,清华大学和北京电子控股有限责任公司取得一项名为“基于变Al组分电子阻挡层以增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN119730492B,申请日期为2024年12月。
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