国家知识产权局信息显示,西安电子科技大学;陕西君普新航科技有限公司取得一项名为“一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaN SBD”的专利,授权公告号CN120111903B,申请日期为2025年3月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,西安电子科技大学;陕西君普新航科技有限公司取得一项名为“一种基于再生长P-GaN的高耐压低漏电GaN SBD”的专利,授权公告号CN120111903B,申请日期为2025年3月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
00:00
热门跟贴