国家知识产权局信息显示，天津大学;承德泉力工贸集团有限公司申请一项名为“一种多孔金属基底上定向生长纳米阵列高熵框架材料的制备方法及其应用”的专利，公开号CN121065740A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种多孔金属基底上定向生长纳米阵列高熵框架材料的制备方法及其应用。该材料以金属多孔基底为载体，在金属有机骨架晶体结构中引入多种过渡金属。这种结构有助于提高相应反应活性和选择性。此外，与传统高熵材料相比，本发明中识别的主要高熵效应展现出更优越的性能增强作用。本发明涉及的材料制备过程简单，同时这种高熵材料在能源存储及转化过程中具有优异的性能，同时具有工业化的应用前景。

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作者：情报员