今年4月，复旦大学科研团队发布了他们研发的“破晓”皮秒闪存器件，这东西一出来就震动了科技圈。团队从二维材料入手，解决了传统存储速度慢的问题。简单说，它能让数据读写快到400皮秒级别，这速度比现有的闪存技术快上万倍。
外媒向Tom＇s Hardware直接报道，说这是全球最快的闪存，甩开美国现有产品一大截。团队花了几年时间，从基础试验一步步推进，才搞出这个原型芯片。关键在于用石墨烯这样的材料，让电子传输几乎没阻力。
想想看，传统U盘或固态硬盘，读写数据得花上百微秒，而这个新器件眨眼间就能处理海量信息。复旦的周鹏和刘春森带队，他们从2015年起就钻研这个领域，早年成果已经达到纳秒级，但今年直接跳到皮秒。
Nature期刊刊登了他们的论文，审稿人都认可这突破了半导体存储的极限。外媒South China Morning Post称，这叫“Poxiao”，意思是黎明，预示存储技术新纪元。中国在这一块终于站到前列，不再被卡脖子。
速度对比特别明显，美国的闪存技术还在微秒级挣扎，这个新器件每秒能操作25亿次，差距不是一点半点。Hackaday网站分析，它用超注入机制，让电子直接冲进存储层，不用慢慢加速。
团队建了准二维模型，预测电子行为，实验验证后芯片就稳定了。Graphene-info报道，中国团队用石墨烯基材料，性能碾压同类产品。这样的进步，直接帮AI训练省时省电，因为数据搬运不再是瓶颈。
10月份，团队又推进一步，发布了二维硅基混合架构的闪存芯片，叫“长缨CY-01”。这是全球首颗这种类型的，整合了“破晓”的核心技术，与硅基工艺结合。性能比传统闪存提升20万倍，集成度更高。
复旦新闻说，这是从原型到工程化的关键步。外媒Interesting Engineering跟进报道，强调中国在半导体领域的加速。团队计划继续优化，目标是大规模生产，让这项技术走进实际应用。
为什么说比美国强5000倍？外媒计算过，这个器件的写入速度是美国主流闪存的数千倍，甚至更多。传统技术受材料限制，电子传输总有阻力，而中国这个用二维层解决了。
SCMP文章指出，它不只快，还非易失，断电数据不丢。相比之下，美国投资大笔钱在老框架上修补，难有大跃进。中国这次靠创新路径领先，刷新了全球存储纪录。
研发过程挺接地气，团队从实验室小样品开始，逐步扩大规模。早期他们测试Kb级阵列，流片成功后才公布。外媒Reddit讨论区有人说，这像给硬盘装了火箭。
复旦强调，十年积累才出成果，不是一蹴而就。周鹏统筹，刘春森负责机制细节，两人合作默契。国家资助帮了大忙，确保实验设备到位。没有这些支持，突破难实现。
外媒的反应有趣，起初有些怀疑，但数据摆在那，只能承认。中国科学网报道，这器件室温下能存十年数据，稳定可靠。Tom＇s Hardware称，它超越了DRAM的速度，却有NAND的持久性。
全球科技界开始关注，中国在AI硬件上的潜力。这样的技术，能让云计算更高效，减少能源浪费。外媒承认，这次中国确实走在世界前列。
后续发展到12月，团队还在推进产业化。小规模量产已经在进行，与CMOS工艺结合。复旦11月报道，新型芯片已问世，标志工程化成功。
外媒TrendForce分析，这可能改变半导体市场格局。中国团队保持低调，继续迭代。没有大变动，但进度稳健。计划3到5年内授权企业，规模上到兆比特级。
这项技术内涵在于，存储不再是弱项，转而成为优势。外媒Sixth Tone说，它帮AI系统省下30%能源，因为数据流动顺畅。相比美国卡在速度瓶颈，中国靠材料革新突围。这样的进步，提醒大家科技竞争靠实干，不是空谈。团队成员活跃，推动从实验室到工厂转化。
想想应用场景，未来电脑开机瞬间完成，游戏加载无延迟。外媒Graphene-info指出，这融合了内存和硬盘优点。中国的领先，让全球同行警醒。复旦成果登Nature后，国际合作咨询增多。团队专注兼容性，确保与现有生产线对接。没有负面事件，研究顺利。
到年底，这项突破的影响还在发酵。外媒报道分布广，从科技博客到主流媒体，都在讨论中国存储技术的崛起。5000倍的说法源于速度对比，实际差距更大。团队验证了超注入现象，数据支撑牢靠。这样的创新，帮中国在国际赛道上占位。
热门跟贴