国家知识产权局信息显示,英特尔公司取得一项名为“在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部”的专利,授权公告号CN111095563B,申请日期为2017年9月。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,英特尔公司取得一项名为“在半导体器件上形成晶体源极/漏极接触部”的专利,授权公告号CN111095563B,申请日期为2017年9月。
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