据晶盛机电（300316.SZ）官微消息，12月24日，晶盛机电近日在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产，其独创的垂直分流进气方案，实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术，同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，大幅提升颗粒控制能力和维护效率。

目前，该设备已交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成，其使用的12英寸衬底则由浙江晶瑞SuperSiC提供，全面实现了国产化协同。外延晶片产品在关键性能指标上表现优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂不均匀性控制在8%以内，2mm×2mm芯片良率大于96%，已达到行业领先水平。