随着AI大模型对算力需求持续增长，数据中心内部的数据传输正面临带宽、功耗和距离的多重挑战。传统电互连方案在高速场景下已接近物理极限，业界开始探索新型互连技术路径。

近期，Micro LED因其低功耗、高并行密度和与CMOS工艺兼容等特性，逐渐进入短距光互连的研究视野。相比电互连，基于Micro LED的光互连方案具备以下优势：

全链路功耗可低于 1 pJ/bit；

单芯片集成数百个发光单元，支持 Tbps级聚合带宽；

光信号不受电磁干扰，适合高密度服务器环境；

与CMOS工艺兼容性高。

目前，海外已有企业如Avicena、Credo推进相关产品开发，部分头部云厂商和芯片公司也在进行技术评估。

在此背景下，芯元基半导体正式启动面向光通信应用的Micro LED专项研发。

作为国内较早布局GaN Micro LED的企业之一，芯元基在材料、器件和集成方面积累了一定基础：

拥有自主研发的4–6英寸DPSS GaN外延平台，位错密度 <~×10⁷ cm⁻²；

已实现 <10μm像素尺寸的蓝光Micro LED阵列，发光波长集中在 420–450nm；

单通道调制速率实测超过 8 Gbps，支持独立寻址；

当前正聚焦电流注入效率提升、像素隔离优化，并探索与CMOS驱动IC的集成方案。

“我们的目标是开发适用于光互连场景的‘通信级’GaN光发射芯片。”
—— 芯元基技术负责人

Micro LED光通信仍处于技术验证阶段。全球主要参与者预计在2027年后逐步推进产品落地，相关接口标准尚在制定中。

芯元基此次布局，是公司在显示与照明之外，向信息传输领域的一次技术延伸。后续将结合产业需求，稳步推进器件性能优化与系统协同验证。

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来源： 芯元基

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