国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“高电子移动率晶体管及其制作方法”的专利，公开号CN121218630A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开一种高电子移动率晶体管及其制作方法，其中高电子移动率晶体管包含一氮化铝镓层位于一氮化镓基底上、一氧化硅层位于该氮化铝镓层上，其中具有一开口露出该氮化铝镓层、一氟掺杂区形成在该开口正下方的该氮化铝镓层以及该氮化镓基底中、一氮化铟镓层位于该氧化硅层上填满该开口并直接与该氟掺杂区接触、一绝缘层位于该氮化铟镓层的顶面上、一金属层位于该绝缘层的顶面上，其中该金属层、该绝缘层以及该氮化铟镓层构成一栅极图案、一栅极位于该金属层上、以及一源极与一漏极分别位于该栅极两侧的该氮化镓基底上。

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作者：情报员