国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN121218601A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，一种半导体存储器装置包括在垂直方向上布置的多个导电层、连接到多个导电层的多个有源层、各自穿透多个有源层的多个通过栅极以及分别围绕多个通过栅极的侧壁的多个通过栅极绝缘层。

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作者：情报员