国家知识产权局信息显示，中南大学;湖南天盛新材料科技有限公司申请一项名为“一种高频磁性能低损耗的FeNi系软磁合金及其制备方法与应用”的专利，公开号CN121215382A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高频磁性能低损耗的FeNi系软磁合金，该合金为三元合金体系或四元合金体系；当FeNi系软磁合金为三元合金体系时，按质量百分比计，由以下组分组成：Fe 49~51%，X 0.3~1.5%，余量为Ni，X选自Cu、Nb、Zr和Y中的一种；当FeNi系软磁合金为四元合金体系时，按质量百分比计，由以下组分组成：Fe 49~51%，M0.3~1.5%，N0.1~1.2%，余量为Ni，M选自Cu、Nb、Zr和Y中的一种，N选自Ti或Cr。本发明通过微量合金化，细化了FeNi合金体系的晶粒度，提高了电阻率，从而降低了FeNi系软磁合金在高频磁场环境的损耗。

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作者：情报员