国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有选择性生长的金属栅极结构的全环栅集成电路结构的制造”的专利，公开号CN121240522A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，描述了具有选择性生长的金属栅极结构的集成电路结构。例如，结构包括第一垂直布置的水平纳米线或鳍状物，所述第一垂直布置的水平纳米线或鳍状物与第二垂直布置的水平纳米线或鳍状物横向间隔开。第一栅极堆叠体位于第一垂直布置的水平纳米线或鳍状物之上，第一栅极堆叠体具有位于第一栅极电介质之上的第一导电层、以及位于第一导电层之上的第一导电填充物。第二栅极堆叠体位于第二垂直布置的水平纳米线或鳍状物之上，第二栅极堆叠体具有位于第二栅极电介质之上的第二导电层、以及位于第二导电层之上和第一导电填充物之上的第二导电填充物。第二导电填充物的一部分与第一导电填充物横向相邻，而在其间没有第二导电层。

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作者：情报员