国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善接触孔接触电阻的方法”的专利，公开号CN121237731A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善接触孔接触电阻的方法，包括：提供半导体衬底并同时定义出有源区接触孔和栅接触孔的形成区域，在半导体衬底上形成有具有金属栅的栅极结构，源漏区，金属硅化物，层间膜。进行停止在接触刻蚀停止层的第一次刻蚀，分别在有源区接触孔和栅接触孔的形成区域形成第一开口和第二开口。形成第一填充层。进行第二次刻蚀以对第一填充层进行回刻并使第二开口中的第一填充层完全去除。进行第三次刻蚀将第二开口底部的金属栅的顶部表面降低到要求值以下。进行第四次刻蚀去除第一开口中的第一填充层和接触刻蚀停止层并停止在金属硅化物上。本发明能在增加对栅接触孔底部的金属栅的消耗的同时减少对有源区接触孔底部的金属硅化物的消耗。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2092次，专利信息2644条，此外企业还拥有行政许可397个。

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作者：情报员