国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法以及基板处理装置”的专利,公开号CN121237644A,申请日期为2025年3月。

专利摘要显示,根据实施方式,提供一种半导体装置的制造方法和基板处理装置。半导体装置的制造方法包括:采用通过含有氢同位素气体的处理气体所产生的等离子体第1膜进行自由基氧化

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作者:情报员