IBM申请具有底部电介质隔离和完全自对准直接背面接触的晶体管专利,第二源极/漏极延伸穿过多个隔离层以与背面接触连接
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国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“具有底部电介质隔离和完全自对准直接背面接触的晶体管”的专利,公开号CN121241680A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,一种微电子器件,包括纳米片晶体管,该纳米片晶体管包括第一源极/漏极(170)以及第二源极/漏极(172),连接到第一源极/漏极的正面接触(182)以及连接到第二源极/漏极的背面接触(210)。多个隔离层位于纳米片晶体管之下,以及第二源极/漏极延伸穿过多个隔离层以与背面接触连接。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
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