国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“NAND型闪存的制造方法”的专利，公开号CN121240447A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种NAND型闪存的制造方法，包括：步骤一、提供完成栅极结构制作。步骤二、在选择管的第二栅极结构的第二侧面形成第一侧墙和同时在块内间隔区形成第一填充层。步骤三、形成第二填充层将外围间隔区全部填充。步骤四、将块内间隔区中第一填充层去除并形成第一间隙，同时将外围间隔区的第一侧墙和部分第二填充层去除并形成第二间隙。步骤五、进行第一介质层生长以实现对第一间隙进行封口，第一介质层的第一填充能力越差，空气间隙越大。步骤六、进行第二介质层生长，第二介质层的第二填充能力大于第一填充能力且满足将第二间隙中的剩余间隙完全填充。本发明能形成足够大的栅极间空气间隙同时能避免在外围间隔区中形成空洞。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2092次，专利信息2650条，此外企业还拥有行政许可397个。

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作者：情报员