国家知识产权局信息显示，中山大学;北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司申请一项名为“一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用”的专利，公开号CN121228341A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于氧化物晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用。本发明基于化学气相沉积（CVD）技术，采用“气体渐变通入+温度精准控制”实现梯度涂层制备，在石墨内芯外侧依次沉积碳化硼（B4C）过渡层和氮化硼（BN）功能层，形成复合坩埚。该复合坩埚用于氧化镓晶体生长时，能有效抑制坩埚对氧化镓熔体的污染，提高晶体质量。

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作者：情报员