国家知识产权局信息显示，上海光羽芯辰科技有限公司申请一项名为“金属密度及过孔密度DRC规则检测方法、系统及终端”的专利，公开号CN121257464A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种金属密度及过孔密度DRC规则检测方法、系统及终端，通过定义芯片内部金属层与介电材料层不同应力区域的局部金属密度与过孔密度阈值以及倒装芯片内部BUMP PAD UBM正下方相邻金属层各不同的密度检测窗口区域，并设定新增加的DRC设计规则，运行该DRC设计规则，检测芯片内部各BUMP UBM区域下方不同的密度检测窗口区域的密度检测结果，并确定芯片上的密度违规位置，以供在芯片Tapeout制造前进行优化设计。本发明在芯片设计过程中，通过补充的金属密度与过孔规则检测，及时发现后续在封装制造以PCB SMT过程中可能导致芯片质量问题的设计缺陷，并通过金属与过孔填充等设计优化，提高局部密度及芯片抵抗外部热应力的机械强度，解决由于材料与热应力引起的潜在产品质量问题，降低制造成本，从而提升产品良率与可靠性，实现芯片能更早地量产出货，以便企业第一时间将产品推向市场。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员