国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“单晶硅的生长方法”的专利，公开号CN121250535A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种单晶硅的生长方法。所述单晶硅的生长方法包括如下步骤：提供一盛有初始重量的硅熔体的石英坩埚；向所述石英坩埚内的所述硅熔体施加超导磁场，并生长单晶硅硅棒；根据所述石英坩埚中剩余的所述硅熔体的重量调整所述超导磁场的磁场强度，使得所述超导磁场的磁场强度随所述硅熔体实际重量的降低而减小。本发明能够持续抑制所述硅熔体内的热对流，减少所述硅熔体温度梯度的波动，同时提高了生长的单晶硅硅棒中的氧含量以及氧含量沿单晶硅硅棒轴向分布的均匀度，实现对单晶硅生长质量的改善和提升。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可193个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员