国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“加热盘的制造方法及加热盘”的专利，公开号CN121250339A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种加热盘的制造方法及一种加热盘。所述加热盘的制造方法包括以下步骤：向所述加热盘的金属盘体上的凹槽中填充绝缘材料，以形成第一绝缘层；直接将加热丝安装在所述第一绝缘层上；向所述加热丝上再次填充所述绝缘材料，以形成第二绝缘层；以及将所述第一绝缘层与所述第二绝缘层烧结为一体。本发明可以通过将外部没有金属管铠装的加热丝直接安装在盘内部，并在外部包裹一体化的第一绝缘层及第二绝缘层，用于节省了金属加热盘内部空间，以实现内部加热丝高密度排布。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员