国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“检测硅晶圆PV与PI区域的方法及系统”的专利，公开号CN121275443A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供的检测硅晶圆PV与PI区域的方法及系统，属于硅晶圆缺陷检测技术领域，其中检测硅晶圆PV与PI区域的方法具体是：首先对硅晶圆样片的表面进行铜缀饰处理，以标记硅晶圆样片的空位型缺陷，得到待测硅晶圆样片；接着将待测硅晶圆样片、对电极和参比电极均浸没于氢氟酸电解液中，以使待测硅晶圆样片作为工作电极，并与对电极和参比电极共同构建三电极电化学系统；随后对工作电极施加恒定的阳极偏压，并保持预定时间，使被标记的空位型缺陷区域和未标记的间隙型缺陷区域进行差异性腐蚀，以显露出PV与PI区域，使得原先不可见的微观缺陷转化为宏观与微观下均清晰可辨的形貌差异。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息353条，此外企业还拥有行政许可25个。

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作者：情报员