国家知识产权局信息显示，星科金朋私人有限公司申请一项名为“在光子区上具有保护层的FOI中集成PIC的半导体器件和方法”的专利，公开号CN121276706A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，一种半导体器件具有第一互连结构，在所述第一互连结构中具有开口。PIC设置在第一互连结构上，其中光子区与第一互连结构中的开口对准。至少部分穿过PIC形成多个导电通孔。具有多个导电通孔的互连部件设置在第一互连结构上。可以在第一互连结构上形成多个凸块。第二互连结构设置在PIC和互连部件上。保护层设置在光子区上的开口内。电部件设置在第二互连结构上。保护层可以具有形成在PIC上的坝和设置在光子区上的坝内的环氧树脂材料。替代地，保护层具有设置在光子区上的环氧树脂材料。

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作者：情报员