国家知识产权局信息显示，哈尔滨工业大学;杭纳半导体装备（杭州）有限公司申请一项名为“一种真空镀膜进料腔及进料方法”的专利，公开号CN121272339A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于真空镀膜领域领域，具体涉及到一种真空镀膜进料腔及进料方法。其中真空镀膜进料腔包括腔体组件、传动组件、均温加热组件、离子轰击清洗组件和抽真空组件；传动组件用于沿基材的板面方向输送基材；腔体组件位于传动组件的上游设置有进料舱门组件，下游设置有过渡舱门组件；均温加热组件和离子轰击清洗组件分别设置传动组件的输送路径两侧，均温加热组件用于对基材的板面进行均温加热，离子轰击清洗组件用于对基材的板面进行离子清洗。本发明的真空镀膜领域领域集成抽真空、传输、加热及离子清洗等多功能于一体的预处理真空镀膜进料腔及进料方法，用于为后续镀膜工艺制备洁净、活化且温度适宜的基材表面。

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作者：情报员