国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121284975A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，公开了半导体装置和制造方法。在实施方式中，半导体装置包括：磁性隧道结(MTJ)结构，其包括：具有固定磁化方向的钉扎层；与钉扎层相邻形成的隧道势垒层；以及与隧道势垒层相邻形成并具有可变磁化方向的自由层。自由层包括：与隧道势垒层相邻形成的第一磁性层；以及第二磁性层，其与第一磁性层相邻形成而与隧道势垒层间隔开、并且包括第二磁性层内的纳米孔。

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作者：情报员