国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“中介层的腔体内的光子集成电路”的专利,公开号CN121286128A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,一种设备,所述设备包括用于将衬底的导电接触件耦合到集成电路装置的导电接触件的中介层,其中,中介层包括靠近中介层的导电接触件的腔体,所述中介层的导电接触件用于耦合到光子集成电路(PIC)的导电接触件。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“中介层的腔体内的光子集成电路”的专利,公开号CN121286128A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,一种设备,所述设备包括用于将衬底的导电接触件耦合到集成电路装置的导电接触件的中介层,其中,中介层包括靠近中介层的导电接触件的腔体,所述中介层的导电接触件用于耦合到光子集成电路(PIC)的导电接触件。
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