国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“提高铜互连电迁移性能的方法”的专利，公开号CN121285282A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种提高铜互连电迁移性能的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在形成暴露出下层铜互连结构的通孔和沟槽结构后，对衬底进行刻蚀后处理，其中，采用包含还原性气体的处理气体，以去除刻蚀残留物并修复下层铜互连结构的受损表面。该方法通过还原性气体的引入，能够同时高效清除残留物并原位修复铜损伤，从而改善通孔与下层金属的界面质量，显著提升铜互连的抗电迁移性能和可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1964条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息158条，此外企业还拥有行政许可229个。

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作者：情报员