谁在推动氮化镓落地？一份研究机构价值清单供您参考|gan|氮化镓|纳米材料|高功率

前言

氮化镓并不是一项突然出现的技术，而是一条跨越材料科学、器件物理、电路设计与系统工程的长期研发路线。真正推动产业前行的，并非单一参数的极限突破，而是一批长期深耕的研究机构，在材料可控性、器件可靠性、工艺可复制性以及系统适配性上的持续积累。

本文汇总的这些氮化镓研究机构，覆盖了欧美、亚洲的核心科研力量，既包括以基础物理与材料机理见长的大学与研究所，也包括以工程化、中试和产业转化为目标的国家级实验室与应用研究机构。正是这些机构，构成了氮化镓从实验室走向数据中心、电动汽车、通信系统与能源基础设施的技术支撑。

氮化镓研究机构

充电头网将氮化镓研究机构的部分信息汇总成上表，方便各位读者朋友查阅。

Argonne National Laboratory阿贡国家实验室

成立日期：1946

国家：美国

所在城市：莱蒙特

成就

阿尔贡国家实验室是美国能源部直属的国家实验室，是美国最早成立的国家实验室之一，覆盖基础物理、纳米材料、能源与环境等研究领域。其纳米材料中心是美国五大纳米科学研究中心之一，为包括GaN在内的宽禁带半导体材料提供先进表征、缺陷分析、材料成长与失效分析等基础科研设施，是材料科学层面GaN研究的重要公共平台，是许多企业与高校材料研发数据验证的可靠来源。

Institute of Semiconductors, CAS中科院半导体研究所

成立日期：1960年

国家：中国

所在城市：北京

成就

中科院半导体研究所在氮化镓（GaN）材料的生长技术和高效能功率电子器件的研发方面取得了重要进展。该研究所致力于GaN基半导体在高功率、高频、光电等领域的应用，尤其在高功率电子器件、LED照明和光伏领域有显著成就。他们在GaN技术的商业化推广和产业链发展方面也做出了巨大贡献，推动了中国在氮化镓技术领域的领先地位。

ITRI工业技术研究院

成立日期：1973年

国家：中国

所在城市：新竹

成就

ITRI致力于氮化镓技术的研发与应用，尤其是在功率电子、集成电路、显示技术等领域。

该院的GaN研究涵盖了GaN功率器件、射频器件、LED照明、光电器件等多个领域，推动了氮化镓技术在工业中的广泛应用。ITRI还与半导体公司合作，推动了GaN技术的本地化生产和技术应用的商业化。

JFSLAB 湖北九峰山实验室

成立日期：2021年

国家：中国

所在城市：武汉

成就

湖北九峰山实验室在氮化镓领域已形成从材料、器件以及系统产业化的完整链条。其在上游实现了8英寸硅基氮极性氮化镓材料的国际领先突破，夯实了高频高功率器件的材料基础；在中游持续推进氮化镓器件工艺、刻蚀技术及 PDK 工艺设计套件建设，显著提升器件性能与设计效率；在下游则将氮化镓成功应用于高效数据中心电源、无线能量传输等系统级场景，并推动成果走向中试和产业合作。整体来看，九峰山实验室已成为我国第三代半导体尤其是氮化镓技术领域中，兼具原创性突破与工程化落地能力的重要科研高地。

KIST韩国科学技术院

成立日期：1971年

国家：韩国

所在城市：广域

成就

韩国高科技研究院是韩国顶尖的科研机构之一，专注于氮化镓材料的创新应用，特别是在高功率、射频和光电子领域。该院的研究涵盖了GaN材料的生长、器件设计与集成，尤其在GaN基功率放大器、LED和激光器的研究方面取得了显著进展。该研究院还致力于GaN技术的商业化，推动了氮化镓在能源、通信和消费电子等多个行业的应用。

NSTIC新加坡氮化镓半导体技术转化创新中心

成立日期：2025年

国家：新加坡

所在城市：新加坡

成就

该中心的商业运营预计将于2026年年中正式启动。运营初期，中心将主要聚焦于为客户提供氮化镓半导体产品的定制化研发与生产服务。同时，中心还计划与国内外的高校、科研机构以及企业建立广泛的合作关系，通过产学研协同创新的模式，加速技术成果的转化与应用。此外，中心还将积极开展技术培训与人才培养工作，为半导体产业培养更多高素质的专业人才。

PHLAB深圳平湖实验室

成立日期：2022年

国家：中国

所在城市：深圳

成就

深圳平湖实验室是深圳市重点布局的第三代半导体科研与中试平台，聚焦氮化镓等宽禁带材料的材料、器件与应用技术。在氮化镓领域，实验室已在低压与高压GaN器件、8英寸硅基与SiC基GaN外延材料、生长工艺及精密表征技术方面取得多项突破：该实验室不仅实现了15~40V增强型GaN器件的高性能验证，还完成了8英寸硅基超厚GaN外延及1200V级器件的关键电性验证，并在高质量SiC基GaN外延、生长缺陷控制与先进表征方法上形成特色优势。依托完善的中试与测试平台，平湖实验室正加速推动GaN技术从科研突破走向工程化与产业化，为数据中心、新能源与高端电力电子等应用奠定坚实基础。

SIMIT, CAS中国科学院上海微系统与信息技术研究所

成立时间：1928年

国家：中国

所在城市：上海

成就

中国科学院上海微系统与信息技术研究所是国内最早系统开展GaN/AlGaN 外延与射频器件研究的科研机构之一，该研究机构在GaN HEMT 射频功率器件（X / Ku / Ka 波段）、GaN-on-SiC 微波功放、高功率密度器件热管理与可靠性建模，并率先牵头或深度参与多项02专项、宽禁带半导体专项国家重大专项，推动军用雷达、卫星通信用GaN 器件国产化。

该研究机构是中国GaN 射频“从实验室到工程化”的关键中枢，在高端应用上承担着类似解决氮化镓能否在复杂系统中长期可靠运行难题。

Vermont GaN Tech Hub佛蒙特州GaN技术实验室

预计开放时间：2026年

国家：美国

所在城市：南伯灵顿

预计成就

该实验室是由美国东北微电子联盟与GlobalFoundries等合作建立的GaN公共测试平台。其测试实验室将是美国首个对企业和研发团队开放的GaN高功率、高频器件测试中心，可进行电气测试、热管理评估、可靠性验证等全套实验，作为产业级测试平台，它将打破单个公司内部验证局限，为中小企业、研发团队提供关键的可靠性测试与设计反馈服务，助推GaN产品快速迭代和落地。