脑机接口：脑机接口“独角兽”强脑科技完成约20亿元融资
脑机接口“独角兽”强脑科技近期完成约20亿元融资，为脑机接口领域除马斯克旗下Neuralink以外世界第二大规模融资。据悉，投资人阵容强大，包括著名投资机构IDG、由英特尔CEO陈立武创立的华登国际，“果链”巨头蓝思科技、战略投资方韦尔股份、润泽科技、华住集团、好未来集团，也有中国香港、美国顶级家办等。
强脑科技创立于2015年2月，由创始人韩璧丞率领团队在哈佛大学创新实验室孵化而来，主要致力于非侵入式脑机接口技术的研发。
国信证券陈曦炳认为，脑机接口已进入“技术突破向商业化跃迁”的关键节点，应聚焦产业链核心环节与技术路线，上游可关注脑电传感器、核心芯片等硬件供应商，受益于设备量产带来的放量需求；中游重点布局拥有核心专利与临床资源的企业，尤其是侵入式领域技术对标国际、非侵入式场景落地快的龙头；下游可跟踪在康复医疗、工业控制等细分场景形成商业化闭环的标的。
A股上市公司中
瑞迈特：公司与强脑科技洽谈推进合作，利用非侵入式脑机接口技术实现脑控仿生手和仿生腿。
三七互娱：去年10月宣布完成对浙江强脑科技有限公司2000万美元的战略投资，拓展下一代人机交互入口并强化技术与场景协同。
第三代半导体：碳化硅产品正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大高增长产业
机构指出，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和漂移速度快等突出性能，正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大高增长产业，其应用场景从功率器件延伸至散热材料、光学基底等领域，需求呈爆发式增长，行业即将进入高速发展期。
AI产业中，SiC迎来“功率+散热”双重增长机遇。在AI数据中心领域，SiC器件主要应用于AI功率器件和散热层。在AI功率器件方面，SiC器件将用于AI数据中心的两大电能转换环节。一是电网到数据中心电流转换。二是数据中心内部电流转换。在散热层方面，SiC主要作为CoWoS技术的中介层，也有望进入基板和热沉环节。
五矿证券指出，需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张，预计2027年碳化硅衬底供需紧平衡，甚至存在出现产能供应紧张的可能性；2030年，全球1676万片的衬底需求量，较2025年的供给，存在约1200万片的产能缺口。
A股上市公司中
天岳先进：自主研发的8英寸碳化硅衬底已实现量产，且在晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等关键技术领域形成了完整的技术体系，产品可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统等多个领域。
三安光电：公司在数据中心及AI服务器电源领域，湖南三安的碳化硅产品已向长城、维谛技术、伟创力、台达、光宝等头部客户实现量产。晶盛机电碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列。
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