国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“磁性随机存取存储单元及其形成方法、磁性随机存取存储器”的专利，公开号CN121310832A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种磁性随机存取存储单元及其形成方法、磁性随机存取存储器，存储单元包括：自旋轨道扭矩层，用于在对磁性随机存取存储单元进行写操作时流经写入电流；磁隧道结，位于自旋轨道扭矩层下方且与自旋轨道扭矩层相接触；第一导电结构，位于磁隧道结的一侧且位于自旋轨道扭矩层下方，第一导电结构与自旋轨道扭矩层相接触；第二导电结构，位于磁隧道结的另一侧且位于自旋轨道扭矩层下方，第二导电结构与自旋轨道扭矩层相接触，第一导电结构和第二导电结构用于使自旋轨道扭矩层接入写入电流。在减缓MRAM与晶体管之间通讯延迟的同时，还规避形成磁隧道结、第一导电结构和第二导电结构的过程中需停在自旋轨道扭矩层上的困难。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员