国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“利用等离子体射流的衬底蚀刻”的专利，公开号CN121311961A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，提供了用于处理半导体衬底的技术和装置。在一些实施方案中，该技术可包括：在第一电极和第二电极之间的区域接收所述半导体衬底的至少边缘部分，所述区域包括一个或更多个凸缘特征，所述一个或更多个凸缘特征中的每一者被配置为防止等离子体从所述区域扩散出来；从一个或更多个入口接收工艺气体和惰性气体；使用所述第一电极和所述第二电极以及所述工艺气体，产生点状等离子体，所述点状等离子体通过所述一个或更多个凸缘特征限制在所述第一电极和所述第二电极之间的所述区域中；以及当所述半导体衬底在所述第一电极和所述第二电极之间且相对于所述第一电极和所述第二电极旋转时，使用由所述点状等离子体在所述边缘部分上产生的蚀刻剂来蚀刻所述半导体衬底的所述边缘部分。

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作者：情报员