国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种基底刻蚀方法及刻蚀结构”的专利，公开号CN121311045A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种基底刻蚀方法及刻蚀结构，包括：在基底的表面上形成有机物掩膜；执行刻蚀工艺，对露出的基底表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤；第一刻蚀步骤使用第一气体（包括含氟气体）的等离子体中的中性粒子，对基底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的高深宽比刻蚀结构内壁和有机物掩膜表面上形成聚合物层，以在进行第一刻蚀时进行保护；第二刻蚀步骤使用第二气体（包括惰性气体）的等离子体中的带电粒子，对内壁底部上的聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，露出下方的基底，以再次进行第一刻蚀。本申请能简化工艺，提高选择比，提高效率。

天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员