国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法”的专利，公开号CN121310859A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法，包括：提供半导体器件：半导体器件具有沟槽；预处理：在惰性气体和活性气体气氛下，去除沟槽内的聚合物，修复沟槽的内壁面的化学键缺陷，形成含硅化合物层；等离子体刻蚀处理：在氟基气体和惰性气体气氛下，刻蚀含硅化合物层，露出沟槽的内壁面。该半导体器件的刻蚀后表面处理方法，首先，通过预处理，物理轰击去除聚合物，并在沟槽的内壁面形成含硅化合物保护层；然后，通过等离子体刻蚀，去除含硅化合物，可以避免高能等离子体对沟槽的内壁面造成损伤，从而提高了沟槽的存储电容的介电性能、电荷存储能力以及可靠性。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员