国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法和半导体器件”的专利，公开号CN121310619A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在晶圆的正面形成栅极结构；在晶圆和栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层；执行湿法蚀刻工艺对自对准多晶硅材料层进行图案化，以形成自对准多晶硅层；执行干法蚀刻工艺对自对准氧化物材料层进行图案化，以形成自对准氧化物层；对自对准多晶硅层、暴露出的晶圆以及栅极结构的上表面进行金属硅化物工艺，以形成金属硅化物层。本申请实施例提高了形成的金属硅化物层的均匀性与完整性，从而提升器件良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员