国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121310569A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，所述衬底上具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成侧墙氧化层；在所述侧墙氧化层上形成应力记忆层并进行第一退火工艺；去除所述应力记忆层及部分厚度的所述侧墙氧化层；对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺；刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层。本申请意料不到的效果是：通过对剩余的所述侧墙氧化层进行掺氮工艺从而在剩余的所述侧墙氧化层中掺入氮离子，从而增加刻蚀以去除剩余的所述侧墙氧化层时的刻蚀速率，保证剩余的所述侧墙氧化层可以被去除干净，避免衬底上残留的侧墙氧化层影响后续金属接触层的形成，提高了器件的导电性能。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员