《南华早报》今日头版援引工信部内部数据披露，经过三年的去美化进程，中国半导体设备国产化率已提前一年突破官方设定的“50%红线”。数据显示，截至2025年底，全国晶圆厂新建产线中的中国产装备金额占比已达到55%，高出2024年预定目标5个百分点。其中，刻蚀、薄膜、清洗三大关键工艺的国产化率均超过60%，7nm验证线的进展较原计划提速一倍，为后续14nm全自主产线的落地奠定了坚实基础。
7nm验证提前撞线，三大件国产化率超60%
根据文件披露的具体数据，截至2025年12月，全国新建或扩建的12英寸晶圆产线累计招标设备金额约为430亿元人民币，其中国产设备中标金额达236亿元，占比稳定在55%。在细分领域中，刻蚀机、清洗设备和薄膜沉积设备的国产化率分别达到65%、63%和61%，已占据主导地位；离子注入机也达到了35%的市场份额。尽管量测与光刻设备目前仍处“攻坚区”，国产化率分别为25%与18%，但这一数据较2022年已分别提升了10个和6个百分点，显示出追赶态势。
国产供应链在先进制程的验证进度也快于预期。中芯国际南方厂的7nm试验线原定于2026年第二季度完成工艺验证，现已提前至2025年底实现通线。该产线核心的刻蚀、薄膜及清洗设备均已切换为国产型号，首批256 Mb SRAM的良率突破42%，比计划目标高出8个百分点。据内部人士透露，国产14nm级High-k金属栅全套设备也已通过可靠性考核，预计2026年第二季度即可导入量产，这标志着全自主产线建设迈出关键一步。
在细分技术领域，部分国产龙头企业已开始在特定指标上实现反超。中微公司的CCP刻蚀机已进入5nm循环验证阶段，关键尺寸均匀性控制在1纳米以内；北方华创的原子层沉积（ALD）设备成功拿下长江存储400层3D NAND订单，其单片钨薄膜厚度误差小于0.5埃；盛美的单片清洗设备则凭借超过90%的正常运行时间（uptime），获得了华虹上海12英寸28nm产线的重复订单。
光刻机短板待补，最后的攻坚战
尽管成绩显著，光刻与量测环节仍是当前产业链的最大短板。上海微电子的28nm DUV光刻机虽然已通过工艺验证，但在套刻精度与设备正常运行时间上与ASML仍存在差距；中科飞测的量测设备目前也尚处于14nm验证阶段。针对这一现状，工信部内部路线图规划在2026至2027年间集中资源，重点突破High-NA光学系统、电子束量测及深紫外激光源等“卡脖子”环节，目标是在2028年实现14nm级DUV设备的全面国产化。
针对上述薄弱环节，政策层面的支持力度正在加码。国家大基金二期已承诺，未来三年将向设备环节投入800亿元，重点填补“高端光刻机、量测/检测设备、先进封装设备”三大领域的空白。大基金管理人指出，虽然设备环节仅占整个产业链价值的25%，但长期依赖进口，国产化率每提高1个百分点，即可释放约50亿元的市场空间。
这一趋势也引发了国际观察机构的关注。美方智库CSIS评论称，中国设备自给率提前越过红线，显示“美国的封锁政策正在产生反作用”。但该机构同时也指出，在国产化率达到60%之后，每进一步都将变得“更艰难”，特别是迈向5nm及以下节点时，仍需全球供应链的协作。
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