国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及制造方法”的专利，公开号CN121310570A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现在较长的多晶硅沟道上形成凹槽结构后，针对凹槽结构两侧的侧壁氧化层的回刻工艺会在凹槽结构的肩部区域形成深宽比极高的高深宽比区域，该高深宽比区域的深宽比远超高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，使基于高密度等离子体氧化物沉积工艺在凹槽结构内形成的氧化物填充结构可能存在气泡缺陷，影响器件性能。针对该情况，本申请在执行高密度等离子体氧化物沉积工艺前，调整凹槽结构内的氧化物界面与多晶硅界面，使其齐平以消除高深宽比区域，使凹槽结构的深宽比满足高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，进而形成致密的氧化物填充结构，保证其电学隔离性能。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员