国家知识产权局信息显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请一项名为“一种有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法”的专利，公开号CN121310857A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法，包括：将完成功能结构制作的半导体基片放置在载片上与其结合；半导体基片包括依次层叠的衬底、腐蚀阻挡层、半导体层，半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件层在衬底减薄去除前后功函数变化影响；在半导体基片的衬底的环形边缘区域形成腐蚀阻挡保护层；采用腐蚀方法对衬底的未被腐蚀阻挡保护层覆盖的部分腐蚀掉，得到环形边缘支撑结构的超薄半导体。环形边缘支撑结构可以在后续工艺中对超薄半导体有效支撑；得到的超薄半导体整体减薄去除了衬底厚度，甚至能够实现超薄半导体的厚度小于1μm的减薄能力；很好克服传统研磨减薄工艺的应力影响、均匀性差、划痕以及颗粒污染等问题。

天眼查资料显示，北京中科彼岸集成电路科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本105.44216万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中科彼岸集成电路科技有限公司专利信息7条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员