国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备”的专利，公开号CN121295327A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供的控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备，属于单晶制备技术领域，其中控制拉晶过程中液口距的方法为按预设周期采集导流筒下沿至熔硅液面的距离，得到实际液口距，从而根据实际液口距与液口距初始值的差值计算出坩埚上升速度补偿值，并将坩埚上升速度的补偿值与上一周期的实际埚升速度进行叠加，最终得到实际坩埚上升速度，并根据此实际坩埚上升速度控制坩埚上升，从而调节每一个预设周期内的液口距，如此来适应不同单晶炉的实际工况差异与晶体生长状态，防止引起液口距发生波动，提升单晶硅棒的品质。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息362条，此外企业还拥有行政许可25个。

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作者：情报员