国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于硬掩模应用的含硅和金属材料的形成”的专利，公开号CN121336525A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。所述沉积前驱物可包括含硅和卤素前驱物和含金属前驱物。基板可被容纳在所述处理区域内。所述方法可包括产生所述沉积前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上形成含硅和金属材料层。

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作者：情报员