国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN121335106A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括衬底、多条第一导电线、防氧化层、氧化层、多条第二导电线和存储单元。多条第一导电线位于衬底上，防氧化层位于第一导电线的侧壁，氧化层位于相邻两条第一导电线之间，且位于防氧化层的表面。多条第二导电线位于第一导电线背离衬底的一侧，多条第二导电线与多条第一导电线重叠设置，存储单元位于第二导电线背离衬底的一侧。在第一导电线的侧壁形成了防氧化层，并且防氧化层位于第一导电线的侧壁与氧化层之间，所以防氧化层可以减少氧化层对第一导电线的氧化，以降低对第一导电线的电阻和器件读写操作的影响。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息189条。

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作者：情报员